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一、LED電流(liu)大小(xiao)

LED電流的(de)大小直(zhi)接(jie)影響著使用(yong)壽命(ming)，建議降額(e)使用(yong)，因此盡量控制小點(dian)，特(te)別是LED散(san)熱效果(guo)不好(hao)的(de)話，LED一定要留足余(yu)量。

二、芯片發熱

這(zhe)主要(yao)針對(dui)內置電源(yuan)調制(zhi)器的(de)(de)(de)高壓驅動(dong)(dong)(dong)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)。假如(ru)(ru)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)消(xiao)耗(hao)的(de)(de)(de)電流為(wei)2mA，300V的(de)(de)(de)電壓加在芯(xin)(xin)(xin)片(pian)上面，芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)功(gong)(gong)耗(hao)為(wei)0.6W，當然會(hui)引起芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)發熱。驅動(dong)(dong)(dong)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)最大電流來自(zi)于驅動(dong)(dong)(dong)功(gong)(gong)率MOS管的(de)(de)(de)消(xiao)耗(hao)，簡(jian)單的(de)(de)(de)計算公式為(wei)I＝cvf（考慮(lv)充電的(de)(de)(de)電阻效益，實際I＝2cvf，其中c為(wei)功(gong)(gong)率MOS管的(de)(de)(de)cgs電容，v為(wei)功(gong)(gong)率管導通時的(de)(de)(de)gate電壓，所(suo)以為(wei)了(le)降(jiang)低芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)功(gong)(gong)耗(hao)，必須想(xiang)辦(ban)法降(jiang)低c、v和f，如(ru)(ru)果c、v和f不能改變，那么請想(xiang)辦(ban)法將芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)功(gong)(gong)耗(hao)分到芯(xin)(xin)(xin)片(pian)外的(de)(de)(de)器件，注(zhu)意不要(yao)引入額外的(de)(de)(de)功(gong)(gong)耗(hao)。

三、功(gong)率管(guan)發(fa)熱(re)

功率管的(de)功耗(hao)分成(cheng)兩部分，開(kai)關(guan)損耗(hao)和(he)(he)導(dao)通損耗(hao)。要注意(yi)，大(da)多數場合特別(bie)是LED市(shi)電驅(qu)動(dong)應用(yong)，開(kai)關(guan)損害要遠大(da)于導(dao)通損耗(hao)。開(kai)關(guan)損耗(hao)與功率管的(de)cgd和(he)(he)cgs以(yi)及芯(xin)片的(de)驅(qu)動(dong)能(neng)力和(he)(he)工作頻率有關(guan)，所以(yi)要解決(jue)功率管的(de)發熱可以(yi)從以(yi)下幾(ji)個方面(mian)解決(jue)：

1、不能(neng)片(pian)面(mian)根據導通(tong)電阻(zu)大小來選擇(ze)MOS功(gong)率管，因(yin)為(wei)內(nei)阻(zu)越小，cgs和cgd電容越大。如(ru)1N60的(de)cgs為(wei)250pF左(zuo)右(you)，2N60的(de)cgs為(wei)350pF左(zuo)右(you)，5N60的(de)cgs為(wei)1200pF左(zuo)右(you)，差(cha)別太(tai)大了(le)，選擇(ze)功(gong)率管時，夠(gou)用就可以了(le)。

2、剩下的就是(shi)(shi)(shi)頻(pin)率(lv)(lv)和(he)(he)芯片驅動(dong)能力了，這里(li)只談頻(pin)率(lv)(lv)的影響(xiang)。頻(pin)率(lv)(lv)與導(dao)通損耗也成(cheng)正比，所以功率(lv)(lv)管發(fa)熱時(shi)(shi)，首先要(yao)想(xiang)想(xiang)是(shi)(shi)(shi)不是(shi)(shi)(shi)頻(pin)率(lv)(lv)選擇的有點高。不過要(yao)注(zhu)意，當頻(pin)率(lv)(lv)降(jiang)低時(shi)(shi)，為了得到相(xiang)同的負(fu)載(zai)能力，峰值電(dian)流必然要(yao)變大(da)或者電(dian)感(gan)也變大(da)，這都有可能導(dao)致電(dian)感(gan)進入飽和(he)(he)區域。如(ru)果電(dian)感(gan)飽和(he)(he)電(dian)流夠大(da)，可以考慮將CCM（連(lian)續電(dian)流模式）改變成(cheng)DCM（非(fei)連(lian)續電(dian)流模式），這樣就需要(yao)增加一個負(fu)載(zai)電(dian)容了。

四、工作(zuo)頻(pin)率降(jiang)頻(pin)

這個(ge)也(ye)是用戶在調(diao)試過程中比(bi)較常見的(de)現(xian)象，降頻主要(yao)由兩個(ge)方面導(dao)致。輸入電(dian)壓和負載電(dian)壓的(de)比(bi)例小、系統干(gan)擾(rao)大(da)。對于(yu)前(qian)者，注意不(bu)要(yao)將負載電(dian)壓設置的(de)太高(gao)，雖然負載電(dian)壓高(gao)，效率會高(gao)點(dian)。對于(yu)后者，可以嘗(chang)試以下(xia)幾個(ge)方面：

1、將最小電流設置的再(zai)小點；

2、布線(xian)干凈點，特(te)別是sense這個關鍵(jian)路(lu)徑；

3、將電感選擇的小點或者選用閉(bi)合磁路(lu)的電感；

4、加(jia)RC低通濾(lv)波吧(ba)，這個影響有(you)點不(bu)好(hao)，C的一(yi)致(zhi)性不(bu)好(hao)，偏差(cha)有(you)點大，不(bu)過(guo)對于照明來說應該夠(gou)了。無論如何降頻沒有(you)好(hao)處，只有(you)壞(huai)處，所以一(yi)定要(yao)解決。

五、電感(gan)或者(zhe)變壓器的選擇

多用(yong)(yong)戶反映(ying)，相同的(de)驅(qu)動電(dian)路，用(yong)(yong)a生(sheng)產(chan)的(de)電(dian)感(gan)沒有(you)問題，用(yong)(yong)b生(sheng)產(chan)的(de)電(dian)感(gan)電(dian)流就變小(xiao)了。遇到(dao)(dao)這種情(qing)況，要看(kan)看(kan)電(dian)感(gan)電(dian)流波形。有(you)的(de)工程師沒有(you)注意到(dao)(dao)這個現(xian)象(xiang)，直接調節sense電(dian)阻或者工作(zuo)頻率達到(dao)(dao)需(xu)要的(de)電(dian)流，這樣(yang)做(zuo)可能會嚴重影(ying)響LED的(de)使用(yong)(yong)壽命。

所以說(shuo)，在設計前(qian)，合(he)理(li)的(de)(de)(de)計算是必須的(de)(de)(de)，如果理(li)論計算的(de)(de)(de)參(can)數和(he)(he)調試(shi)參(can)數差的(de)(de)(de)有點遠，要考慮是否(fou)降頻和(he)(he)變(bian)(bian)壓器是否(fou)飽和(he)(he)。變(bian)(bian)壓器飽和(he)(he)時，L會變(bian)(bian)小，導致(zhi)傳輸delay引起的(de)(de)(de)峰(feng)值電流(liu)增量(liang)急劇上升(sheng)，那么(me)LED的(de)(de)(de)峰(feng)值電流(liu)也(ye)跟(gen)著增加(jia)。在平均(jun)電流(liu)不變(bian)(bian)的(de)(de)(de)前(qian)提(ti)下，只能(neng)看著光衰了。